Przedmiotem zgłoszenia jest sposób wytwarzania krzemowego ogniwa fotowoltaicznego z dodatkowym poziomem energetycznym (3) w paśmie zabronionym półprzewodnika (8), składającego się z warstwy krzemu typu p (2) i warstwy krzemu typu n (4), a także elektrody dolnej (1) i górnej (6) wraz z warstwą pasywującą powierzchnię i powłoką antyrefleksyjną (5), w którym teksturyzuje się, domieszkuje się metodą implantacji jonowej, wygrzewa się poimplantacyjnie i pasywuje, a następnie osadza się powłokę antyrefleksyjną i nanosi się elektrody oraz utwardza w piecu. Istotą sposobu jest to, że warstwę krzemu typu n (4) domieszkowaną antymonem, o rezystywności ρ od 0,01 Ω x cm, do 10 Ω x cm, korzystnie 0,01  Ω x cm, implantuje się jonami neonu o dawce D od 10 x 1013 cm-2 do 4,0 x 1014 cm-2, korzystnie 1,5 x 1014 cm-2 i energii E = 100 keV, a następnie wygrzewa izochronicznie w temperaturze Ta = 598 K, w czasie t = 15 min.